Nagare Labs SRAM tezligi va DRAM zichligiga ega Z2RAM xotirasini taqdim etdi

Jorjiya texnologiya instituti spin-offi bo'lgan Nagare Labs kompaniyasi sun'iy intellekt tezlatgichlari uchun mo'ljallangan Z2RAM nomli yangi avlod xotira texnologiyasini ishlab chiqdi. Pat Gelsinger va Playground Global sarmoyasi asosida yaratilgan mazkur loyiha hisoblash quvvati va xotira o'tkazish qobiliyati o'rtasidagi tafovutni bartaraf etishga qaratilgan. Yangi kondensatorsiz arxitektura SRAM tezligini va DRAM xotirasining ixchamligini bitta chipda mujassam etishni va'da qilmoqda.

• Nagare Labs sun'iy intellekt tezlatgichlari ustiga to'g'ridan-to'g'ri o'rnatiladigan Z2RAM xotirasini ishlab chiqmoqda.
• Texnologiya SRAM'ga nisbatan 5 barobar yuqori zichlik va 14 barobar tezroq ishlashni ta'minlaydi.
• Laboratoriya sinovlarida hujayralar 85 daraja haroratda ma'lumotlarni 300 sekunddan ortiq saqlab qolgan.

Z2RAM arxitekturasi va texnik xususiyatlari Z2RAM texnologiyasi «ikkita tranzistor va ekran, kondensatorsiz» tamoyili asosida ishlaydi. Yozish tranzistori zaryadni saqlash tuguniga joylashtiradi, himoya ekrani qo'shni elementlarning xalaqit berishining oldini oladi, o'qish tranzistori esa zaryadni yo'qotmagan holda ma'lumotni o'qiy oladi. Bu yondashuv an'anaviy DRAM xotirasiga xos bo'lgan qayta yozish jarayonini chetlab o'tishga yordam beradi va energiya sarfini keskin kamaytiradi. Kompaniya Z2RAM qatlamlarini to'g'ridan-to'g'ri tezlatgich ustiga yotqizish orqali bitta kristall doirasida shakllantirishni rejalashtirmoqda. Bunda qimmatbaho EUV uskunalari talab etilmaydi, standart 300 mm DUV asboblari yetarli bo'ladi. Ishlab chiquvchilar yuzdan ortiq qatlamlarni va yuz minglab vertikal ulanishlarni o'z ichiga olgan kelajakdagi arxitekturani maqsad qilgan bo'lib, bu 3D NAND flesh-xotirasi miqyoslashiga o'xshab ketadi. ## Issiqlik va barqarorlik muammolari Hisoblash chiplari ustiga xotirani joylashtirishdagi asosiy to'siqlardan biri bu haddan tashqari qizib ketishdir. Zamonaviy sun'iy intellekt protsessorlari juda ko'p issiqlik ishlab chiqaradi va DRAM xotirasi 95 darajadan past haroratda saqlanishi shart. Muassislar Suman Datta va Shimen Yu boshchiligidagi guruhlar 85 daraja Selsiyda barqaror ishlaydigan va ma'lumotlarni yetarlicha saqlay oladigan 3 tranzistorli hujayralarni sinovdan o'tkazishdi. Shunga qaramay, texnologiya hali laboratoriya bosqichida bo'lib, uning amaliy ishlatilishida hal qilinishi kerak bo'lgan muammolar yetarli. Xususan, yakka elektronlar ta'sirida xotira hujayrasining o'tish kuchlanishi o'zgarib ketishi yoki ma'lumot buzilishi mumkin. Shuningdek, bunday xotirani protsessor bilan bog'lovchi standart interfeys hali mavjud emasligi sababli, Nagare o'z interfeysini yaratishiga to'g'ri kelishi mumkin. ## Ishlab chiqarish istiqbollari va biznes ahamiyati Z2RAM texnologiyasining tijoriy muvaffaqiyati uchun eng muhim qadam — o'z zavodiga ega bo'lmagan startapning yetakchi yarimo'tkazuvchi fabrikalari bilan hamkorlik o'rnatishi hisoblanadi. Kompaniya universitet laboratoriyasidan tashqariga chiqish uchun ilmiy-tadqiqot hamkorini qidirmoqda. Agar barcha rejalashtirilgan bosqichlar muvaffaqiyatli amalga oshsa, Z2RAM plitkalarini sinovdan o'tkazish to'rt yil ichida, ommaviy ishlab chiqarish esa kelgusi o'n yillikda boshlanishi kutilmoqda. Sohadagi tajribali mutaxassislar va Pat Gelsinger kabi rahbarlarning loyihaga qo'shilgani bu texnologiyaning ahamiyatini oshiradi. Agar Nagare barcha texnik va ishlab chiqarish to'siqlarini yengib o'tsa, Z2RAM sun'iy intellekt tezlatgichlari uchun xotira cheklovlarini butunlay bartaraf etib, bozor o'yin qoidalarini o'zgartirishi mumkin.