Micron kompaniyasi DRAM va NAND xotiralari bo'yicha yangi strategiyasini e'lon qildi

Micron Technology kompaniyasi yaqin yillar uchun mo'ljallangan DRAM va NAND xotira texnologiyalari bo'yicha o'zining keng qamrovli yo'l xaritasini oshkor qildi. Yangi strategiya plastinkalarni biriktirish, yangi materiallar, High-NA EUV litografiyasi va 3D DRAM texnologiyalarini o'z ichiga olib, sun'iy intellekt tizimlari uchun maxsus kremniy yechimlarini rivojlantirishga qaratilgan.

• Micron kompaniyasi 2030 yilgacha mo'ljallangan DRAM va NAND xotira ishlab chiqarish rejalarini ma'lum qildi.
• 4F2 xotira hujayralaridan voz kechilib, 6F2 tuzilmalari va kelgusida 3D DRAM texnologiyasiga ustunlik beriladi.
• HBM4E, HBM5 va vertical HBM kabi sun'iy intellektga mo'ljallangan maxsus xotira turlari qaytarilmoqda.
• 1δ yangi texnologik jarayoni bo'yicha ommaviy ishlab chiqarish 2027 yilning ikkinchi yarmiga mo'ljallangan.

DRAM xotirasi evolyutsiyasi: 1δ dan High-NA EUV gacha

Micron rahbariyatining ta'kidlashicha, an'anaviy planor DRAM xotirasi o'zining atom chegaralariga yaqinlashmoqda. Samsung, SK hynix va CXMT kompaniyalaridan farqli o'laroq, Micron o'sish imkoniyatlari cheklangani sababli 4F2 hujayralarini ishlab chiqishdan voz kechishga qaror qildi. Buning o'rniga kompaniya 1γ jarayonidan so'ng 1δ texnologiyasiga o'tadi va AQShdagi zavodlarda 2027 yilning ikkinchi yarmida ommaviy ishlab chiqarishni boshlaydi.

1δ jarayoni oldingi avlodga nisbatan bit zichligini taxminan 20-25 foizga oshirishi kutilmoqda. Bunga ilg'or metallzatvorlar, angstrem darajasidagi nazorat va yangi materiallar yordamida erishiladi. Shundan so'ng plastinkalarni biriktirish (wafer bonding) texnologiyasiga asoslangan 1ε hamda 2030 yildan keyin High-NA EUV litografiyasini qo'llovchi ζÅ va ηÅ tugunlari ishlab chiqish bosqichida turibdi.

3D DRAM va 3D NAND texnologiyalarining kelajagi

An'anaviy yondashuvlar bilan bir qatorda, Micron 3D1 va 3D2 deb nomlanuvchi ikki avlod 3D DRAM xotirasini yaratish ustida ishlamoqda. Planor xotiradan farqli o'laroq, 3D DRAM ma'lum bir maydonda ko'proq xotira hujayralarini joylashtirish uchun vertikal o'lchamdan foydalanadi. Kompaniya bu texnologiyani tannarx va unumdorlik bo'yicha an'anaviy xotira bilan raqobatbardosh bo'la olganda joriy etishni rejalashtirgan.

3D NAND yo'nalishida esa Micron hujayra arxitekturasini zichlashtirish uchun yangi materiallarga va XYZ o'lchamlari bo'yicha tarmoqlanishga e'tibor qaratmoqda. Ushbu yondashuvlar ma'lumotlar markazlari va sun'iy intellekt ilovalari talab qiladigan yuqori sig'imli xotira qurilmalarini yaratish imkonini beradi.

Sun'iy intellekt uchun maxsus xotira mahsulotlarining qaytishi

Kompaniya strategiyasining eng muhim qismlaridan biri bu — sun'iy intellekt ishlab chiqaruvchilarining talabidan kelib chiqqan holda maxsus (custom) DRAM va NAND mahsulotlarini kengaytirishdir. HBM4E, HBM5, vertical HBM (vHBM) va Edge Inference Memory (vEIM) kabi mahsulotlar muayyan ish yuklari uchun optimallashtirilgan kremniy yechimlari davrini boshlab beradi.

Maxsus bazaviy kristallarni loyihalash orqali mijozlar ma'lum mantiqiy elementlarni xotiraga ko'chirishi va GPU yoki ASIC prosessorlarining yuklamasini kamaytirishi mumkin. Bu esa umumiy tizim samaradorligini oshirib, energiya sarfini kamaytiradi va zamonaviy sun'iy intellekt tezlatgichlari uchun yuqori o'tkazuvchanlikni ta'minlaydi.

O'zbekiston va IT bozori uchun ahamiyati

Texnologik yangiliklar va sun'iy intellekt infratuzilmasining jadal rivojlanishi fonida, eng so'nggi xotira standartlari va maxsus HBM yechimlarining paydo bo'lishi global miqyosdagi hisoblash quvvatlarini sezilarli darajada oshiradi. Mahalliy dasturchilar va sun'iy intellekt sohasidagi mutaxassislar uchun bunday yuqori samarali texnologiyalarning ommalashuvi kelgusida bulutli xizmatlar va mahalliy ma'lumotlar markazlari uchun yangi imkoniyatlar eshigini ochadi.