Micron представила амбициозный план развития DRAM и NAND памяти до 2030 года

Компания Micron Technology раскрыла свою амбициозную стратегию развития памяти DRAM и NAND на ближайшие годы, сделав упор на новейшие технологии производства, включая High-NA EUV литографию, методы соединения пластин и создание кастомных кремниевых решений. Представленный план нацелен на преодоление физических ограничений современной памяти и удовлетворение растущего спроса со стороны разработчиков систем искусственного интеллекта.

• Micron планирует масштабное обновление технологий производства памяти DRAM и NAND до 2030 года.
• Отказ от ячеек памяти 4F2 в пользу сохранения проверенных 6F2 структур и перехода к 3D DRAM в будущем.
• Разработка специализированных кастомных чипов HBM4E, HBM5 и vertical HBM для ИИ-архитектур.
• Массовое производство нового техпроцесса 1δ запланировано на вторую половину 2027 года с приростом плотности на середину 20%

Новая дорожная карта DRAM: от 1δ до анстремовых узлов

В ходе недавних анонсов руководство Micron сообщило, что классическая планарная память DRAM приближается к своим атомным пределам. В отличие от своих конкурентов в лице Samsung, SK hynix и CXMT, компания приняла неожиданное решение отказаться от разработки ячеек памяти 4F2 из-за отсутствия жизнеспособного пути масштабирования. Вместо этого стратегия Micron опирается на последовательное внедрение передовых узлов, начиная с текущего техпроцесса 1γ и переходя к поколению 1δ, массовое производство которого начнется во второй половине 2027 года на предприятиях в США.

Техпроцесс 1δ обеспечит увеличение плотности битов примерно на 20-25% по сравнению с предшественником благодаря использованию передовых металл-затворов с высоким показателем диэлектрической проницаемости (HKMG), новому контролю на уровне ангстрем и улучшенной материальной базе. Этот узел станет основой для будущих продуктов DDR, LPDDR, графической памяти и высокопроизводительной HBM5. За ним последуют узлы 1ε с использованием технологии соединения пластин (wafer bonding), а также будущие ζÅ и ηÅ с внедрением High-NA EUV оборудования ближе к 2030 году.

Развитие 3D DRAM и перспективы 3D NAND

Помимо планарной архитектуры, Micron активно работает над двумя поколениями вертикальной памяти 3D DRAM, которые получили рабочие названия 3D1 и 3D2. В отличие от традиционного горизонтального уменьшения ячеек, 3D DRAM использует вертикальное измерение для размещения большего числа ячеек на той же площади кристалла. Компания намерена коммерциализировать эту технологию тогда, когда ее стоимость и производительность станут конкурентоспособными по сравнению с классическими решениями.

В сегменте 3D NAND Micron фокусируется на внедрении новых материалов для уплотнения клеточной архитектуры и развитии трехмерного масштабирования по осям XYZ. Компания преодолевает ограничения традиционных подходов, используя передовые методы травления и осаждения. Это позволяет продолжать увеличивать количество слоев и общую емкость твердотельных накопителей, необходимых для дата-центров и ИИ-инфраструктуры.

Возвращение кастомной памяти для систем искусственного интеллекта

Одним из самых значимых пунктов новой стратегии стал возврат к разработке кастомных продуктов DRAM и NAND, обусловленный жесткими требованиями современных разработчиков ИИ. Появление таких продуктов, как кастомные HBM4E (cHBM4E), вертикальная HBM (vHBM) и вертикальная память для пограничного вывода (vEIM), знаменует собой переход индустрии к кастомизированным кремниевым решениям, оптимизированным под конкретные рабочие нагрузки и процессорные архитектуры.

Интеграция специализированной логики в базовый кристалл памяти позволяет разгрузить основные вычислительные процессоры (GPU и ASIC), перенеся часть функций ближе к массиву памяти. Это повышает общую энергоэффективность системы, сокращает задержки и расширяет пропускную способность интерфейсов ввода-вывода, что критически важно для масштабных ИИ-ускорителей нового поколения.

Значение для технологического рынка

Представленная дорожная карта Micron демонстрирует серьезную перестройку полупроводниковой индустрии, где универсальные микросхемы уступают место глубоко интегрированным и кастомизированным решениям для задач искусственного интеллекта. Для разработчиков и бизнеса это означает появление более эффективных, специализированных аппаратных платформ, способных справляться с растущими объемами ИИ-вычислений без упирания в пропускную способность памяти.